2025年6月末，中国半导体领域迎来历史性时刻。为打破美国的技术封锁，中国大基金三期，这家注册资本高达3440亿元人民币的半导体投资基金，调整战略，重点攻克光刻机、光刻胶等关键领域技术短板。这表明中国在半导体领域的坚定决心。

2025年4月，日本经济产业省将EUV光刻胶等12类半导体核心材料列入出口管制清单，随后5月更扩大管制至光刻胶的上游原材料。这一系列动作对中国14nm以下芯片生产构成严重威胁。

△ 国产替代的必要性

在此背景下，提升国产光刻胶技术水平势在必行。日本的出口管制和全球市场垄断形成威胁，使得研发替代产品成为中国刻不容缓的任务。

△ 光刻胶基础概念

光刻胶在半导体制造中是不可或缺的关键材料，其质量直接影响芯片制程和良率。它与光刻机、光掩膜为光刻环节三要素，全球市场超过90%份额由日本和美国垄断，而中国的KrF/ArF级光刻胶自给率不足5%，EUV光刻胶更处于研发阶段。

△ 光刻胶的关键参数

光刻胶的性能由多参数决定，如分辨率、对比度等，直接影响芯片制程精度和性能。分辨率用临界尺寸衡量，对比度影响图形壁陡峭程度，进而提高分辨度。

△ 光刻胶的分类

光刻胶可根据曝光波长、显示效果及反应类型分类，包括紫外光刻胶、正负性光刻胶等，不同类型满足特定应用需求。

△ 光刻胶的四大成分

光刻胶由树脂、光引发剂、添加剂和溶剂构成，各成分各司其职。树脂为光刻胶骨架，赋予其物理特性；光引发剂是曝光精度的关键；溶剂则保证其流动性与均匀性。

△ 光刻胶技术壁垒

光刻胶技术壁垒显著，配方复杂且对纯净度要求高。配方涉及千种化学成分排列组合，验证过程耗时繁琐，企业需投入大量资源。

△ 市场动态

全球光刻胶市场2025年估计将达到67亿美元，复合年增长率5.24%。特别是在亚太地区，需求增长迅速，中国将成为主导市场之一。

△ 竞争格局

全球市场被日本JSR、TOK及美国陶氏化学等企业垄断，而我国企业多集中于中低端产品。技术提升势在必行。

△ 发展历程

光刻胶技术从约瑟夫·尼塞福尔·涅普斯的发明到工业化应用，经历了多个阶段的发展。各家公司在此过程中都取得过突破，推动了技术的进步与发展。

△ 上游原料

光刻胶的生产基础涉及多种化学原料，包括树脂、光引发剂等。上游产业为光刻胶生产提供了物质基础。

△ 中游制造领域

中游产业专注于制造半导体、LCD和PCB光刻胶。众多企业参与其中，推动行业发展。

△ 下游应用

下游应用领域广泛，光刻胶是芯片制造、LCD及PCB生产中的关键材料。其下游应用企业的需求推动了整个光刻胶产业的发展。